Microchip N-Kanal, THT MOSFET 3300 V / 41 A TO-247

Die Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Microship steigert die Leistung gegenüber Silizium-MOSFET- und Silizium-IGBT-Lösungen und senkt gleichzeitig die Gesamtbetriebskosten für Hochspannungsanwendungen. Der Baustein ist ein 3300-V-SiC-MOSFET mit 80 mΩ in einem TO-247-Gehäuse mit 4 Anschlüssen und Source-Sense. Er verfügt über niedrige Kapazitäten und eine geringe Gate-Ladung sowie eine hohe Schaltgeschwindigkeit aufgrund des geringen internen Gate-Widerstands (ESR). Er ermöglicht einen stabilen Betrieb bei einer hohen Sperrschichttemperatur, TJ(max) von 150 °C. Er ist eine schnelle und zuverlässige Body-Diode mit überlegener Avalanche-Robustheit.

Hoher Wirkungsgrad für leichtere, kompaktere Systeme
Einfache Ansteuerung und einfache Parallelschaltung
Verbesserte thermische Eigenschaften und geringere Schaltverluste