Fairchild Semiconductor QFET N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8 A 225 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
807-5857
Herst. Teile-Nr.:
FQH8N100C
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
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Marke

Fairchild Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

1000 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

QFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,45 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

225 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

53 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

15.87mm

Breite

4.82mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

20.82mm

Ursprungsland:
MY

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