Fairchild Semiconductor IRF530A N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 14 A 55 W, 3-Pin TO-220AB

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
671-5367
Herst. Teile-Nr.:
IRF530A
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
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Marke

Fairchild Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

14 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

110 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

55 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Breite

4.7mm

Länge

10.1mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

27 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

9.4mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

MOSFET mit erhöhter Leistung, Fairchild Semiconductor


Robuste Stoßentladungstechnologie
Robuste Gate-Oxide-Technologie
Niedrigere Eingangskapazität
Optimierte Gatterladung


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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