Microchip mSiC N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 3300 V / 27 A 439 W, 4-Pin TO-247-4L
- RS Best.-Nr.:
- 813-825
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC080SMA330B4N
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 3300V | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Serie | mSiC | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 161nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 439W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Breite | 23.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 3300V | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Serie mSiC | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 161nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 439W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Breite 23.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-mSiC-MOSFET von Microchip ist ein leistungsstarker elektronischer Schalter, der für den effizienten Betrieb bei hohen Spannungen und Temperaturen ausgelegt ist. Er dient hauptsächlich zur Leistungsregelung in fortschrittlichen Anwendungen.
Niedrige Kapazitäten und Gate-Ladung verbessern die Schalteffizienz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit sorgt für optimale Leistung bei reduzierten Verlusten
Stabiler Betrieb bei hohen Sperrschichttemperaturen von bis zu 150 °C
Zuverlässige Gehäusediode trägt zur Systemstabilität und -Langlebigkeit bei