Microchip mSiC N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 3.3 kV / 27 A 439 W, 4-Pin TO-247-4L
- RS Best.-Nr.:
- 813-825
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC080SMA330B4N
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 3.3kV | |
| Serie | mSiC | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 161nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 439W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 23.6mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 3.3kV | ||
Serie mSiC | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 161nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 439W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 23.6mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 5.21mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-mSiC-MOSFET von Microchip ist ein leistungsstarker elektronischer Schalter, der für den effizienten Betrieb bei hohen Spannungen und Temperaturen ausgelegt ist. Er dient hauptsächlich zur Leistungsregelung in fortschrittlichen Anwendungen.
Niedrige Kapazitäten und Gate-Ladung verbessern die Schalteffizienz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit sorgt für optimale Leistung bei reduzierten Verlusten
Stabiler Betrieb bei hohen Sperrschichttemperaturen von bis zu 150 °C
Zuverlässige Gehäusediode trägt zur Systemstabilität und -Langlebigkeit bei