Microchip mSiC N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 700 V / 75 A 304 W, 4-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 813-819
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC035SMA070B4N
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | mSiC | |
| Gehäusegröße | TO-247-4 | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 35mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 93nC | |
| Durchlassspannung Vf | 3.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 304W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 23.6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie mSiC | ||
Gehäusegröße TO-247-4 | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 35mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 93nC | ||
Durchlassspannung Vf 3.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 304W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 23.6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-mSiC-MOSFET von Microchip ist ein robuster Halbleiter, der für hocheffiziente Anwendungen entwickelt wurde und eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen bietet. Dieses Gerät eignet sich hervorragend für hohe Spannungen bei gleichzeitiger Beibehaltung optimaler thermischer Eigenschaften.
AEC-Q101 qualifizierte Option verfügbar
Niedrige Kapazitäten und Gate-Ladung verbessern die Effizienz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit für Hochfrequenzanwendungen
Stabiler Betrieb bei hohen Sperrschichttemperaturen gewährleistet Langlebigkeit