Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 243-9268
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB110P06LMATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 3,89
(ohne MwSt.)
€ 4,67
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- 623 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,89 |
| 10 - 24 | € 3,68 |
| 25 - 49 | € 3,61 |
| 50 - 99 | € 3,37 |
| 100 + | € 3,14 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-9268
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB110P06LMATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 273A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 273A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-Kleinsignaltransistor von Infineon hat eine bleifreie Leiterbeschichtung. Der Ableitstrom und die Ableit-Quellenspannung von MOSFETs beträgt 100 A bzw. –60 V. Er hat einen sehr niedrigen Widerstandswert. Die Betriebstemperatur beträgt -55 °C bis 150 °C.
SMD-Technologie
Logikpegelverfügbarkeit
Einfache Schnittstelle zur Mikrocontroller-Einheit (MCU)
Schnelle Schaltfrequenz-
Avalanche-Härte