Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
242-5822
Herst. Teile-Nr.:
IPB110N20N3LFATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

273A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der lineare FET-MOSFET von Infineon ist ein revolutionärer Ansatz, um den Kompromiss zwischen Durchlasswiderstand (R DS(on)) und Linearmodusfähigkeit zu vermeiden –Betrieb im Sättigungsbereich eines Enhanced-Mode-MOSFET. Bietet den modernsten R DS(on) eines Trench-MOSFETs zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFETs.

Kombination aus niedrigem R DS(on) und großem sicheren Betriebsbereich (SOA)

Hoher maximaler Impulsstrom

Hoher kontinuierlicher Impulsstrom

Maximaler Ablassstrom beträgt 88 A

Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 150 °C

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