Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
242-5817
Herst. Teile-Nr.:
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

273A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations blöcken einschließlich Or-ing, Hot-Swap und Batterieschutz sowie für Server-Netzteil anwendungen entwickelt. Das Gerät hat einen niedrigeren RDS(on) von 22 % im Vergleich zu ähnlichen Geräten. Einer der größten Beitrag zu diesem branchenführenden FOM ist der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand, der das höchste Maß an Leistungsdichte und Effizienz bietet.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung,

ideal für hohe Schaltfrequenz

Ausgangskapazitätsreduzierung von bis zu 44 % RDS(on) Reduzierung von bis zu 43 % gegenüber der vorherigen Generation

Höchste Systemwirksamkeit

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

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