Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 5,09

(ohne MwSt.)

€ 6,11

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
1 - 9€ 5,09
10 - 24€ 4,84
25 - 49€ 4,75
50 - 99€ 4,45
100 +€ 4,06

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
243-9266
Herst. Teile-Nr.:
IPB020N08N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

273A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

P

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon ist ideal für Hochfrequenzschaltungen. Es verfügt über ein ausgezeichnetes Gate-Ladeprodukt (FOM). Wird typischerweise im D2PAK-Gehäusesystem geliefert. Der Ableitstrom und die Ableit-Quellenspannung des Leistungs-MOSFETs beträgt 173 A bzw. 80 V

300 W Verlustleistung

Oberflächenmontage

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Verringerung der Ausgangskapazität von bis zu 44 %

Verwandte Links