Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 3,78

(ohne MwSt.)

€ 4,54

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 810 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 3,78
10 - 24€ 3,59
25 - 49€ 3,53
50 - 99€ 3,30
100 +€ 3,02

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
243-9266
Herst. Teile-Nr.:
IPB020N08N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

273A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

P

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon ist ideal für Hochfrequenzschaltungen. Es verfügt über ein ausgezeichnetes Gate-Ladeprodukt (FOM). Wird typischerweise im D2PAK-Gehäusesystem geliefert. Der Ableitstrom und die Ableit-Quellenspannung des Leistungs-MOSFETs beträgt 173 A bzw. 80 V

300 W Verlustleistung

Oberflächenmontage

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Verringerung der Ausgangskapazität von bis zu 44 %

Verwandte Links