Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
243-9265
Herst. Teile-Nr.:
IPB020N08N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

273A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

P

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon ist ideal für Hochfrequenzschaltungen. Es verfügt über ein ausgezeichnetes Gate-Ladeprodukt (FOM). Wird typischerweise im D2PAK-Gehäusesystem geliefert. Der Ableitstrom und die Ableit-Quellenspannung des Leistungs-MOSFETs beträgt 173 A bzw. 80 V

300 W Verlustleistung

Oberflächenmontage

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Verringerung der Ausgangskapazität von bis zu 44 %

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