Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 13.8 A, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
235-4845
Herst. Teile-Nr.:
IPB19DP10NMATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS TM P-Kanal-MOSFETs mit 100 V im D2PAK-Gehäuse stellen die neue Technologie für Batterie-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen dar. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Geräts ist die Reduzierung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistungsaufnahme. Seine einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinenbeständigkeit machen ihn für hochwertige anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist in normaler Ausführung mit einem großen RDS(on)-Bereich erhältlich und verbessert den Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten aufgrund niedriger Qg. Sie wird in Batterie- und Industrieautomatisierung eingesetzt.

Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz

Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen

SMD-Gehäuse mit Industriestandard-Abmessungen

Robuste, zuverlässige Leistung

Erhöhte Sicherheit der Versorgung

Verwandte Links