Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 120 V / 237 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
236-3670
Herst. Teile-Nr.:
IPT030N12N3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

237A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Gehäusegröße

HSOF-8

Serie

OptiMOS™

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

158nC

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.4mm

Breite

10.58 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET ist die ideale Wahl für batteriebetriebene Geräte mit optimaler Balance zwischen zusätzlicher Spannungsabbruchspanne und niedrigem Betriebswiderstand. Er wird in leichten Elektrofahrzeugen, Niederspannungsantrieben und Batterie betriebenen Werkzeugen verwendet.

Hohe Leistungsdichte und verbessertes Wärmemanagement

Weniger Platinenplatz erforderlich

Hohe Systemeffizienz und weniger Parallelschaltung erforderlich

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