Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:
906-4356
Herst. Teile-Nr.:
IPT020N10N3ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

HSOF

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

156nC

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.4mm

Länge

10.58mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

10.1 mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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