Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:
178-7450
Herst. Teile-Nr.:
IPT020N10N3ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

HSOF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

156nC

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.4mm

Breite

10.1 mm

Länge

10.58mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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