Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

RS Best.-Nr.:: 906-4407
Herst. Teile-Nr.:: IPT007N06NATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

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RS Best.-Nr.:: 906-4407
Herst. Teile-Nr.:: IPT007N06NATMA1
Hersteller:: Infineon

IPT007N06N OptiMOS Power-Transistor, 60 V
Efficient Semiconductor Solutions for Motor Control and Drives
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	300 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	HSOF-8
Serie	OptiMOS™ 5
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	1 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	375 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	216 nC @ 10 V
Länge	10.58mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	10.1mm
Höhe	2.4mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1V

Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

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Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

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