Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin IPT007N06NATMA1 HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 906-4407
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT007N06NATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 216nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.1 mm | |
| Länge | 10.58mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 216nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.1 mm | ||
Länge 10.58mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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