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    Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

    RS Best.-Nr.:
    906-4407
    Herst. Teile-Nr.:
    IPT007N06NATMA1
    Hersteller:
    Infineon
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    RoHS Status: Nicht zutreffend

    Rechtliche Anforderungen

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    Informationen zur Produktgruppe

    Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5



    MOSFET-Transistoren, Infineon


    Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.300 A
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    GehäusegrößeHSOF-8
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.1 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Verlustleistung max.375 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite10.1mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs216 nC @ 10 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Länge10.58mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Höhe2.4mm
    Diodendurchschlagsspannung1V
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    SerieOptiMOS 5
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