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    Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

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    178-7451
    Herst. Teile-Nr.:
    IPT007N06NATMA1
    Hersteller:
    Infineon
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    Datenblätter und Anleitungen


    Rechtliche Anforderungen

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    Informationen zur Produktgruppe

    Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5



    MOSFET-Transistoren, Infineon


    Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.300 A
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    GehäusegrößeHSOF-8
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.1 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Verlustleistung max.375 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Länge10.58mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Transistor-WerkstoffSi
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Gate-Ladung typ. @ Vgs216 nC @ 10 V
    Breite10.1mm
    Diodendurchschlagsspannung1V
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Höhe2.4mm
    SerieOptiMOS 5
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