Infineon IPT010N08NM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 43 A 375 W, 8-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:
225-0582
Herst. Teile-Nr.:
IPT010N08NM5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

43A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

HSOF

Serie

IPT010N08NM5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.05mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

178nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

10.58 mm

Höhe

2.4mm

Länge

10.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IPT010N08NM5 ist der 1-N-Kanal OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET 80 V 1,05 mΩ 425 A in einem TOLL-Gehäuse. Die Siliziumtechnologie OptiMOS 5 ist eine neue Generation von Leistungs-MOSFETs und wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung für Telekommunikations- und Servernetzteile entwickelt.

Erhöhte Leistungsdichte

Niederspannungs-/Überschwingen

Weniger Parallelschaltung erforderlich

Höchste Systemeffizienz

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

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