Infineon IPT015N10N5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 300 A 375 W, 9-Pin HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 170-2320
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT015N10N5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPT015N10N5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IPT015N10N5 | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 169nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.58mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IPT015N10N5 | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 169nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.58mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IPT015N10N5 Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 300 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IPT015N10N5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Leistungsumwandlung und Motorsteuerung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, bei denen eine robuste Leitfähigkeit und ein schnelles Schalten erforderlich sind. Die Komponente eignet sich für Entwickler, die einen kompakten Hochleistungstransistor für Anwendungen suchen, die erhebliche Ableitströme und eine hohe Spannungsbelastbarkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassspannung von 100 V ermöglicht Schaltanwendungen mit höherer Spannung
• 300 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 2 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 169 nC typische Gate-Ladung reduziert Schaltenergiekompromisse
• Maximale Verlustleistung von 375 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen
• 300 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 2 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 169 nC typische Gate-Ladung reduziert Schaltenergiekompromisse
• Maximale Verlustleistung von 375 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-Motorantriebsstufen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Wechselrichtermodulen für industrielle Antriebe verwendet
• Kann für Gleichspannungswandler in Stromversorgungssystemen verwendet werden
• Geeignet für Traktions- oder Antriebselektronik
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Wechselrichtermodulen für industrielle Antriebe verwendet
• Kann für Gleichspannungswandler in Stromversorgungssystemen verwendet werden
• Geeignet für Traktions- oder Antriebselektronik
Welchen Temperaturbereich kann ich für raue Umgebungen erwarten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und eignet sich für erhöhte Anschlussbedingungen.
Welche Befestigungsmethode ist für die Leiterplatten-Integration erforderlich?
Das Gerät ist für die Oberflächenmontage in einem HSOF-Gehäuse für die automatisierte Montage vorgesehen.
Wie viele Stifte sind für die Anschluss- und Layoutplanung verfügbar?
Das Gehäuse verfügt über neun Pins, die robuste Strompfade und Gate/Drain/Source-Anordnungen ermöglichen.
Welchen Kanalmodus und -typ verwendet er für die Schalttopologie?
Das Gerät ist ein N-Kanal-MOSFET, der im Enhancement-Modus arbeitet und für Low-Side- oder High-Side-Anordnungen mit entsprechender Gate-Ansteuerung geeignet ist.