Infineon OptiMOS™ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 120 V / 237 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
236-3669
Herst. Teile-Nr.:
IPT030N12N3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

237A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Gehäusegröße

HSOF-8

Serie

OptiMOS™

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

158nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.1mm

Breite

10.58mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET ist die ideale Wahl für batteriebetriebene Geräte mit optimaler Balance zwischen zusätzlicher Spannungsabbruchspanne und niedrigem Betriebswiderstand. Er wird in leichten Elektrofahrzeugen, Niederspannungsantrieben und Batterie betriebenen Werkzeugen verwendet.

Hohe Leistungsdichte und verbessertes Wärmemanagement

Weniger Platinenplatz erforderlich

Hohe Systemeffizienz und weniger Parallelschaltung erforderlich

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