ROHM QH8MB5 Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT-8

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RS Best.-Nr.:
235-2672
Herst. Teile-Nr.:
QH8MB5TCR
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

QH8MB5

Gehäusegröße

TSMT-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

44mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.1mm

Höhe

2.9mm

Breite

0.85 mm

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Dual-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET unterstützt 40 V Spannungsfestigkeit. Dies ist für 24-V-Eingangsgeräte wie Fabrikautomationsgeräte und Motoren an Basisstationen ausgelegt. Durch die Kombination des optimalen N-Kanal + P-Kanals wird der Designaufwand reduziert. Sie trägt auch zur Senkung des Stromverbrauchs von Geräten bei.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse

Bleifreie Leitungsbeschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei

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