ROHM QH8KB6 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 8-Pin TSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 235-2665
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8KB6TCR
- Hersteller:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 235-2665
- Herst. Teile-Nr.:
- QH8KB6TCR
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- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | TSMT-8 | |
| Serie | QH8KB6 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0177 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße TSMT-8 | ||
Serie QH8KB6 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,0177 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Der Rohm Dual N-Kanal-MOSFET unterstützt 40 V Spannungsfestigkeit. Dies ist für 24-V-Eingangsgeräte wie Fabrikautomationsgeräte und Motoren an Basisstationen ausgelegt. Dieses Produkt besteht aus einem N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand, der um 58 % reduziert wird. Dies trägt zu einem geringen Stromverbrauch verschiedener Geräte bei.
Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse
Bleifreie Leitungsbeschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei