ROHM RQ1 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-430
Herst. Teile-Nr.:
RQ1E050RPHZGTR
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TSMT-8

Serie

RQ1

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

31mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der ROHM Kleinsignal-MOSFET für Schaltanwendungen ist ein hochzuverlässiges Produkt in Automobilqualität, das nach AEC-Q101 qualifiziert ist.

Niedriger Einschaltwiderstand

Eingebaute G-S-Schutzdiode

Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse TSMT8

Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform

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