ROHM QH8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin TSMT-8

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RS Best.-Nr.:
264-562
Herst. Teile-Nr.:
QH8KE5TCR
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

QH8

Gehäusegröße

TSMT-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

202mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.8nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 100V 2,0A Dual-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TSMT8-Gehäuse ist für hocheffiziente Schaltnetzteile und Motorantriebsanwendungen konzipiert.

Niedriger Einschaltwiderstand

Kleines Oberflächenmontagegehäuse TSMT8

Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei

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