ROHM QS8 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin TSMT-8

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*

€ 5,39

(ohne MwSt.)

€ 6,47

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 3 000 Einheit(en) mit Versand ab 02. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
10 - 90€ 0,539€ 5,39
100 - 240€ 0,511€ 5,11
250 - 490€ 0,475€ 4,75
500 - 990€ 0,437€ 4,37
1000 +€ 0,42€ 4,20

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-789
Herst. Teile-Nr.:
QS8M51HZGTR
Hersteller:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

QS8

Gehäusegröße

TSMT-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der ROHM 100V Dual Nch plus Pch Small Signal ist ein MOSFET für Schaltanwendungen. Dies ist ein hochzuverlässiges Produkt in Automobilqualität, das nach AEC-Q101 qualifiziert ist.

Niedriger Einschaltwiderstand

Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse

Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform

AEC-Q101-qualifiziert

Verwandte Links