ROHM QH8MC5 Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT-8

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RS Best.-Nr.:
235-2674
Herst. Teile-Nr.:
QH8MC5TCR
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

QH8MC5

Gehäusegröße

TSMT-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

91mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.1mm

Höhe

2.9mm

Breite

0.85 mm

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Dual-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET unterstützt 60 V Spannungsfestigkeit. Dies ist für 24-V-Eingangsgeräte wie Fabrikautomationsgeräte und Motoren an Basisstationen ausgelegt. Durch die Kombination des optimalen N-Kanal + P-Kanals wird der Designaufwand reduziert. Sie trägt auch zur Senkung des Stromverbrauchs von Geräten bei.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse

Bleifreie Leitungsbeschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei

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