Infineon IAUT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:
229-1811
Herst. Teile-Nr.:
IAUT300N08S5N012ATMA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

HSOF

Serie

IAUT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

+175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon n-Kanal-MOSFET hat eine Betriebstemperatur von 175 °C und 100 % Lawinenprüfung.

Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen

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