Infineon IAUT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 150 A, 8-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:
229-1806
Herst. Teile-Nr.:
IAUT150N10S5N035ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

150A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

HSOF

Serie

IAUT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon n-Kanal-MOSFET hat eine Betriebstemperatur von 175 °C und 100 % Lawinenprüfung.

Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen

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