Infineon IAUT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
244-0893
Herst. Teile-Nr.:
IAUT300N08S5N014ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IAUT

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon-MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieses zellulare Planar-Design der HEXFET®-Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.

N-Kanal – Verbesserungsmodus,

AEC-qualifiziert

MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow,

175 °C Betriebstemperatur

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