Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 74 A 69 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
222-4619
Herst. Teile-Nr.:
BSC072N08NS5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

74A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS-TM5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.2mm

Breite

6.1 mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

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