Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 74 A 69 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
222-4620
Herst. Teile-Nr.:
BSC072N08NS5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

74A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS-TM5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.1 mm

Höhe

1.2mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.35mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

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