Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 131 A 114 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
222-4617
Herst. Teile-Nr.:
BSC037N08NS5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

131A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS-TM5

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

114W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.1 mm

Höhe

1.2mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

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