Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 131 A 114 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
222-4618
Herst. Teile-Nr.:
BSC037N08NS5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

131A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS-TM5

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

114W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.1 mm

Länge

5.35mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

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