Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 275 A 217 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL

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RS Best.-Nr.:
348-846
Herst. Teile-Nr.:
ISC025N08NM5LF2ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

275A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PG-TDSON-8 FL

Serie

OptiMOS-TM5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.55mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

217W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 60-V-OptiMOS 5 Linear-FET von Infineon im PQFN-Gehäuse 5x6 mm (SuperSO8) bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand RDS(on) und einen großen sicheren Betriebsbereich (SOA) bei 25˚C und 125˚C. Der OptiMOS Linear FET ist ein revolutionäres Konzept, das den Kompromiss zwischen Durchlasswiderstand und Linearität aufhebt.

Hoher Einschaltstrom aktiviert

Schnelle Inbetriebnahme und kürzere Ausfallzeiten

Grundfläche entspricht Industriestandard

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