Infineon OptiMOS-TM5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 69 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 222-4621
Herst. Teile-Nr.:: BSC098N10NS5ATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS-TM5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 69 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 222-4621
Herst. Teile-Nr.:: BSC098N10NS5ATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	60A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	OptiMOS-TM5
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	22nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	69W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	5.35mm
	Breite	6.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.2mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie OptiMOS-TM5
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 69W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 5.35mm
	Breite 6.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.2mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC098N10NS5ATMA1

Infineon OptiMOS-TM5 Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 60 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC098N10NS5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen Temperaturbereichen entwickelt wurde. Er unterstützt hohe Dauerstromstärken und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine effiziente Leitfähigkeit und schnelles Schalten bei extremen industriellen Temperaturen erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 100 V bietet Hochspannungsschaltfunktionen
• 60 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen die Handhabung schwerer Lasten
• Niedriger RDS-Wert von 9,8 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 69 W unterstützt eine erhebliche thermische Belastung
• 22 nC typische Gate-Ladung ermöglicht reaktionsschnelles Schalten
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für Motorantriebsstromstufen in der Leistungselektronik
• Wird mit synchronen Buck-Reglern verwendet, um die Effizienz zu steigern
• Kann für Hochstromschaltvorgänge in Server-Stromversorgungsschienen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement- und Stromverteilungsmodule

Welches Gehäuse wird verwendet und wie wirkt sich das auf die Leiterplattenmontage aus?

Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das das automatische Pick-and-Place und das Löten für kompakte Leiterplattenlayouts vereinfacht.

In welchen thermischen Extremen kann er arbeiten?

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C für Umgebungs- oder Sperrschichtbetriebsszenarien ausgelegt.

Wie wirkt sich die Kanalkonfiguration auf die Steuerung aus?

Der N-Typ-Enhancement-Kanal erfordert eine positive Gate-to-Source-Spannung zur Leitung, was ein einfaches Gate-Drive-Design für Schaltanwendungen ermöglicht.

Wie hoch ist die maximale Gate-Spannung, die angewendet werden sollte?

Die Gate-to-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um eine Beeinträchtigung der Gate-Isolierung und der Geräteintegrität zu vermeiden.

Wie unterstützt die Gehäusegröße dichte Designs?

Seine kompakte Grundfläche von 5,35 x 6,1 x 1,2 mm unterstützt Layouts mit hoher Dichte bei gleichzeitiger Beibehaltung der Leistungsaufnahme.