DiodesZetex DMT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 31.8 A 28.4 W, 8-Pin PowerDI3333

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RS Best.-Nr.:
222-2876
Herst. Teile-Nr.:
DMT6015LFVW-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DMT

Gehäusegröße

PowerDI3333

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

28.4W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

10V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

800μm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

3.3mm

Länge

3.05mm

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte

Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion

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