DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 21.2 A 2 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- RS Best.-Nr.:
- 222-2874
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT4015LDV-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
€ 536,00
(ohne MwSt.)
€ 644,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. Jänner 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | € 0,268 | € 536,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2874
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT4015LDV-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | DMT | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.02Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie DMT | ||
Gehäusegröße PowerDI3333-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.02Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
ESD-geschütztes Gate
Verwandte Links
- DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal 8-Pin VDFN-3030
- DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal 8-Pin PowerDI3333