DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 31.8 A 28.4 W, 8-Pin PowerDI3333

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RS Best.-Nr.:
222-2877
Herst. Teile-Nr.:
DMT6015LFVW-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerDI3333

Serie

DMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

28.4W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

0.8 mm

Länge

3.05mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte

Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion

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