DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 16.1 A 2.16 W, 8-Pin VDFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 8,80

(ohne MwSt.)

€ 10,60

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40€ 0,88€ 8,80
50 - 90€ 0,86€ 8,60
100 - 240€ 0,673€ 6,73
250 - 990€ 0,622€ 6,22
1000 +€ 0,606€ 6,06

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-2881
Herst. Teile-Nr.:
DMT64M8LCG-7
Hersteller:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

VDFN

Serie

DMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.16W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47.5nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.3mm

Höhe

3.3mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um RDS(ON) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung zu gewährleisten. Dieses Gerät ist ideal für den Einsatz in der Batterie- und Lastschaltung von Notebooks.

Hohe Effizienz bei der Wandlung

Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

ESD-geschütztes Gate

Verwandte Links