DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 21.2 A 2 W, 8-Pin PowerDI3333-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-2875
Herst. Teile-Nr.:
DMT4015LDV-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

DMT

Gehäusegröße

PowerDI3333-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.02Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

0.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

ESD-geschütztes Gate

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