DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 21.2 A 2 W, 8-Pin PowerDI3333-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-2875
Herst. Teile-Nr.:
DMT4015LDV-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerDI3333-8

Serie

DMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.02Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

ESD-geschütztes Gate

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