DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 10.6 A 16 W, 8-Pin VDFN-3030

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RS Best.-Nr.:
222-2868
Herst. Teile-Nr.:
DMT3009UDT-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMT

Gehäusegröße

VDFN-3030

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.011Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.6nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

16W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

Der zweifache n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Extrem niedrige Gate-Schwellenspannung

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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