DiodesZetex Doppelt DMHT10H032LFJ Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 6 A 64 W, 12-Pin VDFN

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RS Best.-Nr.:
213-9146
Herst. Teile-Nr.:
DMHT10H032LFJ-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

VDFN

Serie

DMHT10H032LFJ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

12

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.033Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

64W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020

Länge

5mm

Höhe

0.8mm

Breite

4.5 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

Die DiodesZetex DMHT10H032LFJ-Serie ist ein N-Kanal-MOSFET in einer H-Brückenkonfiguration.

Hohe Effizienz bei der Wandlung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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