DiodesZetex Doppelt ZXMS6008N8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 0.9 A 2.13 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 0,55

(ohne MwSt.)

€ 0,66

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2 480 Einheit(en) mit Versand ab 02. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 0,55
10 - 99€ 0,49
100 - 499€ 0,45
500 - 999€ 0,42
1000 +€ 0,35

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
216-350
Herst. Teile-Nr.:
ZXMS6008DN8Q-13
Hersteller:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

ZXMS6008N8

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

800mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.13W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Länge

4.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS, Antimony-Free

Höhe

1.45mm

Breite

6 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der DiodesZetex MOSFET ist ein dualer selbstgeschützter Low-Side IntelliFET MOSFET mit Logikpegeleingang. Er verfügt über eine integrierte Übertemperatur-, Überstrom-, Überspannungs- und ESD-geschützte Logikebenenfunktionalität. Er eignet sich ideal als Allzweckschalter, der von 3,3-V- oder 5-V-Mikrocontrollern in rauen Umgebungen betrieben wird, in denen Standard-MOSFETs nicht robust genug sind.

Kompaktes Gehäuse mit hoher Verlustleistung

Niedriger Eingangsstrom

Kurzschlussschutz mit automatischem Wiederanlauf

Überspannungsschutz

Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart

Überstromschutz

ESD-Schutz am Eingang

Hohe Dauerstrombelastbarkeit

Verwandte Links