DiodesZetex Doppelt ZXMS6008DN8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 0.9 A 2.13 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
216-349
Herst. Teile-Nr.:
ZXMS6008DN8-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

ZXMS6008DN8

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

800mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.13W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

JEDEC, UL 94V-0, RoHS

Länge

4.9mm

Breite

6 mm

Höhe

1.45mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q100

Ursprungsland:
CN
Der DiodesZetex MOSFET ist ein zweifach selbstgeschützter IntelliFET-MOSFET mit niedriger Seite und Logikpegel-Eingang. Er integriert über Temperatur, Überstrom, Überspannung und ESD-geschützte Logikpegel-Funktionalität. Er ist ideal als Universalschalter, der von 3,3-V- oder 5-V-Mikrocontrollern in rauen Umgebungen angetrieben wird, in denen Standard-MOSFETs nicht robust genug sind.

Kompaktes Hochleistungs-Dissipationsgehäuse

Niedriger Eingangsstrom

Kurzschlussschutz mit automatischem Neustart

Überspannungsschutz

Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart

Überstromschutz

Eingangs-ESD-Schutz

Hoher Dauerstrom-Nennstrom

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