DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 7.7 A 1.8 W, 6-Pin UDFN-2020

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-2871
Herst. Teile-Nr.:
DMT3020LFDBQ-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

UDFN-2020

Serie

DMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.02Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex Dual-n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform

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