DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14.1 A 2.1 W, 6-Pin UDFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-2866
Herst. Teile-Nr.:
DMT3006LFDFQ-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMT

Gehäusegröße

UDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.05mm

Höhe

0.63mm

Breite

2.05 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.

Leiterplattenmaß von 4 mm²

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform

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