Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 140 A 200 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 18,60

(ohne MwSt.)

€ 22,30

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 90 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40€ 1,86€ 18,60
50 - 90€ 1,766€ 17,66
100 - 240€ 1,693€ 16,93
250 - 490€ 1,619€ 16,19
500 +€ 1,506€ 15,06

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
217-2638
Herst. Teile-Nr.:
IRL3803STRLPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

140A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

140nC

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83 mm

Höhe

15.88mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 30 V Single N-Kanal IR MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse.

Planare Zellstruktur für eine breite Optimierung für eine breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstrombelastbares Gehäuse (bis zu 195 A, abhängig von der Matrizengröße)

Kann wellengelötet werden

Verwandte Links