Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 43 A 200 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

€ 868,00

(ohne MwSt.)

€ 1.041,60

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 1 600 Einheit(en) mit Versand ab 13. August 2026
  • Zusätzlich 2 400 Einheit(en) mit Versand ab 20. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 - 1600€ 1,085€ 868,00
2400 +€ 1,029€ 823,20

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-5487
Herst. Teile-Nr.:
IRF3415STRLPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

43A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.042Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

EIA 418

Automobilstandard

Nein

Verwandte Links