Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 43 A 200 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
258-8194
Herst. Teile-Nr.:
IRF3415STRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

43A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.042Ω

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

EIA 418

Automobilstandard

Nein

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