Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 88 A 200 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 20,22

(ohne MwSt.)

€ 24,265

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 40 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
  • Zusätzlich 3 615 Einheit(en) mit Versand ab 02. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20€ 4,044€ 20,22
25 - 45€ 3,64€ 18,20
50 - 120€ 3,396€ 16,98
125 - 245€ 3,154€ 15,77
250 +€ 2,952€ 14,76

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-4459
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4410TRLPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

88A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET verfügt über eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit. Er ist für hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS geeignet.

Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Verwandte Links