Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 88 A 200 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-4458
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4410TRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

88A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET verfügt über eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit. Er ist für hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS geeignet.

Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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